英特尔：预计2025年投入生产1.8纳米制程工艺芯片

8月5日消息:日前英特尔CEO Pat Gelsinger 和技术开发高级副总裁 Ann Kelleher 披露未来计划。首先英特尔已经不再沿用之前的产品命名方式。他们之前将10 纳米芯片命名为「Enhanced Superfin」，现在直接改名为「7」。

英特尔预计今年秋天将推出 Alder Lake 芯片，将高功率和低功率核心融合在一起。之后则是将目前的4 纳米 Meteor Lake 芯片迁移到 tile 设计，并融合英特尔的3D 堆叠芯片技术 Foveros。

除此之外，英特尔还为基于 EUV 的3 纳米芯片设计了一项技术，将会使用高能制造工艺简化芯片制造流程，并为埃米级技术规划了「20A」的入门单位。1 埃米等于1/10 纳米，所以20A 的意思就是2 纳米，此后还有18A。18A(1.8 纳米)产品预计将从2025 年开始投入生产，相应的产品将在2025 至2030 年间面市。

此前英特尔发布了第二季度财报，根据财报显示，英特尔第二季度营收达196 亿美元，同比基本持平。财报显示，英特尔第二季度净利润为50.6 亿美元，同比下降0.9%。每股摊薄收益为1.24 美元。不按照美国通用会计准则，英特尔第二季度调整后净利润为52 亿美元，每股收益为1.28 美元。

声明：本网转发此文章，旨在为读者提供更多信息资讯，所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问，请与有关方核实，文章观点非本网观点，仅供读者参考。